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A BJT has a negative temperature coefficient device, so current sharing resistors are necessary during parallel operation of BJT's while in MOSFET has a positive temperature coefficient for resistance makes the parallel operation of MOSFET is easy. BJT, with a decrease in resistance at that time rise in temperature, the current increases. This increased current over the same area results in hot spot and breakdown of the BJT because of negative temperature coefficient occurs, the secondary breakdown does occur, Whereas in MOSFET device secondary breakdown does not occur, because it has a positive temperature coefficient. BJT stands for bipolar junction transistor, and MOSFET stands for metal oxide semiconductor field-effect transistor. BJT is a bipolar device, MOSFET is a uni-polar power electronics device. A BJT has three terminals called an emitter, base, and collector, whereas a MOSFET also has a three-terminal called the gate, source, and drain. Esporte.bet.tv pre aposta.Brevet de technicien supérieur. Students seeking to earn the Brevet de Technicien Supérieur (BTS) can choose from several approaches: However, a continuation of study can be considered.
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