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  • 2.IGBTのオン・オフ状態. *2) 基板表面側のp型領域にも空乏層が広がりますが、p型不純物の濃度が高いので空乏層幅は非常に小さいため、(図2)では省略しています。 空乏層幅の不純物濃度依存性については、パワーMOSFETの空乏層のページをご参照ください。 ゲート電圧(Vge)が閾値電圧(Vth)よりも低くなると反転層が消滅して、低濃度n型領域への電子の流入が止まり、ホールの流入も止まります。この時、低濃度n型領域には「オン状態の間に大量に流れ込んでいた電子とホール」が存在しており、これらが「再結合」によって消滅するまでの間は「 テール電流 」と呼ばれる電流が流れ続け、 「ターン・オフ損失」の増加要因 になります。 IGBT 방식의 고주파 정류기는 3상 AC 입력을 Full-bridge Diode 전파 정류하여 DC 전원으로 변환하고, IGBT Full-bridge 인버터 회로에서 PWM 방식으로 고주파 스위칭하여 트랜스포머 1차 권선에 입력한다. SCR 정류기 대비 투자비용이 낮다. SCR 정류기 대비 사이즈가 1/3 수준으로 작으며, 무게가 가볍다. SCR 정류기 대비 사용이 용이하고, 유지보수가 용이하다. DC 저항가열, 잉곳성장(Ingot) This article needs additional citations for verification . Please help improve this article by adding citations to reliable sources. Unsourced material may be challenged and removed. Find sources: ”Pulse-width modulation” – news · newspapers · books · scholar · JSTOR ( April 2009 ) ( Learn how and when to remove this template message ) In electronics, many modern microcontrollers (MCUs) integrate PWM controllers exposed to external pins as peripheral devices under firmware control by means of internal programming interfaces. These are commonly used for direct current (DC) motor control in robotics, switched-mode power supply regulation, and other applications. The term duty cycle describes the proportion of 'on' time to the regular interval or 'period' of time; a low duty cycle corresponds to low power, because the power is off for most of the time.

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