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정류부 (Rectifier)에서 DC전압을 가변하여 톤덴서로 평활전압을 만들어 인버터부로 주파수를 가변함. 정류부 (Rectifier)에서 일정 DC전압을 만들고 인버터로 전압과 주파수를 동시에 가변함. Inverter Switching 소자에 따른 분류. 図1に示した断面構造（模式図）では、IGBTは、パワーMOSFETの基板底部にp + 層を追加しただけのように見えますが、このp + 層が追加されたことによって、IGBTは、 パワーMOSFETの底部にp + n + 接合ダイオードを直列接続した構造 になっています。これは、デバイス物理の深い理解に基づく「画期的な発明」（山上、赤桐：特公昭47-21739（1971）、1968年世界初の出願）でした。 ２．IGBTのオン・オフ状態. オフ状態 （図2a参照） *2) 基板表面側のp型領域にも空乏層が広がりますが、p型不純物の濃度が高いので空乏層幅は非常に小さいため、（図2）では省略しています。 空乏層幅の不純物濃度依存性については、パワーMOSFETの空乏層のページをご参照ください。 ゲート電圧（Vge）が閾値電圧（Vth）よりも高くなると、チャネル領域に反転層が形成され、基板表面のn + （emitter）から基板内部の低濃度n型領域に向かって大量の電子が流入し、基板表面から基板底面に向かう電子流が発生します。これは、パワーMOSFETのソースからドレインに向かう電子流に相当します。 このとき、 IGBTでは、基板底部のp + n + 接合ダイオードが順バイアス状態 になり、 p + n + 接合から低濃度n型領域に向かって大量のホールが流れ込みます 。その結果、 低濃度n型領域内の電子とホールの濃度が劇的に増加してオン抵抗が低くなるため、電流駆動能力が著しく向上 します。 ゲート電圧（Vge）が閾値電圧（Vth）よりも低くなると反転層が消滅して、低濃度n型領域への電子の流入が止まり、ホールの流入も止まります。この時、低濃度n型領域には「オン状態の間に大量に流れ込んでいた電子とホール」が存在しており、これらが「再結合」によって消滅するまでの間は「 テール電流 」と呼ばれる電流が流れ続け、 「ターン・オフ損失」の増加要因 になります。 （日本アイアール株式会社 特許調査部 A・Y） IGBT 방식의 고주파 정류기는 3상 AC 입력을 Full-bridge Diode 전파 정류하여 DC 전원으로 변환하고, IGBT Full-bridge 인버터 회로에서 PWM 방식으로 고주파 스위칭하여 트랜스포머 1차 권선에 입력한다. IGBT 정류기 장점. SCR 정류기 대비 투자비용이 낮다. SCR 정류기 대비 사이즈가 1/3 수준으로 작으며, 무게가 가볍다. SCR 정류기 대비 사용이 용이하고, 유지보수가 용이하다. DC 전원이 필요한 대부분 산업 분야에서 응용이 가능하다. Balde de Gelo para 1 garrafa produzido em PP / polipropileno injetado com aplicação de baixar esporte bet365 logo estampado em silk localizado frente a traço ( o mesmo logo no verso em cortesia se for em 1cor ). Rhino maquinas.Permite baixar videos do YouTube, YouTube, Facebook e Vimeo em diferentes formatos e qualidades, incluindo apenas o audio em MP3. Sua interface e simples e funcional: basta colar a URL do video para fazer o download.
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