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This leads us to the question of how these devices compare in a given application. Focusing on performance considerations only, and with the aim to select a device that achieves the relatively lower loss in an example application’s conditions, we can compare example IGBTs and high-voltage power MOSFETs (Table 1) . This is in some ways counter to conventional wisdom where it is often argued that MOSFETs perform better at higher switching frequencies. However, these results indicate otherwise and can be attributed primarily due to the significantly lower diode recovery loss component of the IGBT+FRD (fast recovery diode) and the significant improvement in minimizing the tail current behavior of the IGBT. While the IGBT is still the better device to select in this application example, the availability of significantly lower R DS(on) MOSFETs along with improved diode recovery behavior and a strong gate driver could start tilting the balance towards the MOSFET. In that case, it would then come down to a cost/performance ratio (“$/Amp”) with the IGBT likely having the edge due to a much superior current density (for a given die size). Peter H. Wilson , senior staff product marketing manager with Renesas Electronics America, has more than 20 years in the semiconductor industry with 10 issued patents and numerous published papers.
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