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It combines the best parts of both these transistors to achieve high input impedance and switching speeds (of a MOSFET), as well as low voltage saturation (of a BJT). They get the insulated gate technology from a MOSFET, and the output performance characteristics from a BJT. It too is a three terminal device which consists of a Gate (G) , Emitter (E) and Collector (C). We now know that the IGBT is a combination of a MOSFET and BJT which you can see physically in the way it is constructed. This is why the input terminal is called the Gate, and the output terminals Collector and Emitter. An IGBT consists of four layers of semiconducting material. This gives it a PNPN structure. MOSFET vs IGBT. It is described as being roughly renovação registro de arma 2019 r taxas six to seven feet tall.

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