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The Electrodes are Isolated from Case. High Speed Type IGBT , °C â â ICEX VCEX = 600V Tj = 125°C â â 20 VD = 15V, Ie = 75A Tj = 25°C â 2.0 2.5 V. Abstract: No abstract text available Text: TOSHIBA TENTATIVE TOSHIBA INTEGRATED IGBT MODULE MIG20J906H/HA SILICON N CHANNEL IGBT , , Converter and Brake Power Circuits and Thermistor in One Package. Output (Inverter Stage) : 30 20A/ 600V IGBT Input (Converter Stage) : 3 30A / 800V Silicon Rectifier The Electrodes are Isolated from Case. Outline MIG20J906H : 2-108E3A MIG20J906HA : 2-108E4A Weight : 190g EQUIVALENT CIRCUIT P PI N , prod u ct could cause loss o f hum an life, bodily injury or d a m a g e to property. In d e ve lo p in. Abstract: No abstract text available Text: w SILICON N CHANNEL IGBT HIGH PO W ER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS · · · · · Integrates Inverter, Brake Power Circuits & Control Circuits ( IGBT drive units , V r = 600V IR Tj = 125°C - - 20 mA VF I f = 30A V - 2.0 2.5 0,9 - 2,0 VCC = 300V, IC = 30A ton , Isolated from Case. = 2.5V (Max.) High Speed Type IGBT : V ce t0ff =3*0^8 (MaxJ trr -0.30/^s (Max , v i t y a n d v u l n e r a b i l i t y t o p hy sic a l stre ss It is the responsibility of the. Abstract: No abstract text available Text: TOSHIBA TENTATIVE TOSHIBA INTEGRATED IGBT MODULE SILICON N CHANNEL IGBT M IG 10J855 HIGH , Inverter, Converter Power Circuits in One Package. Output (Inverter Stage) : Z 10A/ 600V IGBT Input (Converter Stage) : 1 30A / 800V Silicon Rectifier The Electrodes are Isolated from Case. - X r - , Fall Time Turn-Off Time SYMBOL ÏGES ic e s TEST CONDITION VGE = ± 2 0 V , VCE = 0 Vc e = 600V , Vq e , m R th (j-c) V TEST CONDITION r r m M IX. - - T Y P .
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