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  • Review of power semiconductor device reliability for power converters. CPSS Trans. Power Electron. Appl. Analysis of Fault Precursor Parameters under Accelerated Aging Tests for IGBT Modules. In Proceedings of the 17th China International Forum on Solid State Lighting & International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLChina: IFWS), Shenzhen, China, 23–25 November [Google Scholar] [CrossRef] Patil, N.; Das, D.; Goebel, K.; Pecht, M. Failure precursors for insulated gate bipolar transistors (IGBTs).

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