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Vemos que já está funcionando, contudo, quando a personagem anda para a esquerda, ele continua virado para o mesmo lugar. if keyboard_check(vk_left) if keyboard_check(vk_right) if keyboard_check(vk_left) if keyboard_check(vk_right) Você pode apertar “F5” sempre que quiser testar seu projeto. Fundo. Clique no “Ambiente”, vá para as “Camadas” e “Background”, sendo a camada da nossa cena que representa o fundo da fase. Para mudar a cor dele, clique em “Cor” e escolha uma cor de sua preferência. O jogo está bem mais bonitinho, mas ainda está muito fácil! Faremos então uma serra que movimenta. Queremos fazer uma serra que fique andando pela fase, quicando pela tela e tenha uma velocidade que conseguimos manipular. Já que queremos manipular a velocidade desse objeto, vamos criar uma variável de velocidade horizontal, que vamos chamar “ hsp”, e uma variável de velocidade vertical, que vamos chamar “vsp” . Voltando ao “adicionar um evento”, clique em “Etapa”, e vamos começar a escrever os códigos dessa serra. x+=hsp y+=vsp.
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The principle of the BJTs is very similar to the N-channel MOSFET. The main difference is, the current existing by the conducting channel when current supplies through the device in its ON state is very small in the IGBT, due to this reason, the ratings of the currents are high when matched with an MOSFET. The main advantages of IGBT compared with various kinds of transistors are low ON resistance, high voltage -capacity, fast switching speed, ease of drive and joined with zero gate drive current creates a good option for sensible speed, and various high voltage applications like PWM, SMPS, variable speed control, AC to DC converter powered by solar and frequency converter applications which operates with a hundred’s of KHz. Thus, this is all about IGBT working and IGBT applications. We have observed that the IGBT is a semiconductor switching device that has an o/p characteristic of a BJT, but it is controlled like an MOSFET. We believe that you have got a better understanding of this concept. Furthermore, any doubts regarding the IGBT applications or electrical and electronic projects, please give your feedback by commenting in the comment section below. Here is a question for you, what are the differences between BJT, MOSFET and IGBT? Circuit Diagram of an IGBT by wikimedia NPT-IGBT and PT-IGBT by electrical-engineering-portal. IGBT is a short form of Insulated Gate Bipolar Transistor , combination of Bipolar Junction Transistor (BJT) and Metal oxide Field effect transistor (MOS-FET) . It’s is a semiconductor device used for switching related applications. As discussed, IGBT has the advantages of both MOSFET and BJTs, IGBT has insulated gate same as like typical MOSFETs and same output transfer characteristics. Although, BJT is current controlled device but for the IGBT, the control depends on the MOSFET, thus it is voltage controlled device, equivalent to the standard MOSFETs.
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