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(Source: aquatarkus - stock.adobe.com) IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) is a four-layer three-terminal power semiconductor device that is a functional integration of Power MOSFET and BJT to obtain fast switching and a higher power rating. IGBT provides a low ON state power loss, and high ratings compared to MOSFET and BJT. The internal four layers P-N-P-N form a MOSFET, a PNP, and an NPN Transistor inside the structure. IGBT starts conducting when the internal PNP Transistor turns ON the internal MOSFET. The Gate of MOSFET replaces the Base of BJT and acts as the controlling terminal. While Emitter E (or Source) and Collector C (or Drain) are in direct contact with a metal coating, Gate Terminal G is insulated with a Silicon Dioxide layer that generates a potential difference. The space between Gate Terminal G and the other two terminals E and C denotes the insulating layer of Silicon Dioxide. Two terminals of the IGBT: Collector and emitter are directly connected to metal coating but the Gate terminal is not connected to the device. An insulating layer of Silicon Dioxide is embedded between the gate terminal and the metal. The presence of a Silicon Dioxide insulating layer builds a capacitance denoted by C.

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